![IXFN24N100 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами | 1: 3251.72 руб. 3: 2752.97 руб. 10: 2244.36 руб. |
![IXFN26N100P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4059.04 руб. 3: 3650.9 руб. 10: 3221.22 руб. |
![IXFN26N120P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт | 1: 4138.88 руб. 3: 3719.97 руб. 10: 3291.19 руб. |
![IXFN300N10P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; Ugs: ±30В; 279нC | 1: 3181.75 руб. 3: 2862.41 руб. 10: 2533.2 руб. |
![IXFN300N20X3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт | 1: 3201.49 руб. 3: 2882.14 руб. 10: 2543.07 руб. Все цены |
![IXFN30N120P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт | 1: 4647.49 руб. 3: 4189.11 руб. 10: 3700.23 руб. |
![IXFN320N17T2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; Ugs: ±30В; 640нC | 1: 3390.76 руб. 3: 3051.68 руб. 10: 2702.74 руб. |
![IXFN32N100P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 2483.86 руб. 3: 2234.49 руб. 10: 1975.25 руб. |
![IXFN32N100Q3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4508.45 руб. 3: 4049.18 руб. 10: 3580.93 руб. |
![IXFN32N120P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; Ugs: ±40В; 360нC | 1: 5475.45 руб. 3: 4927.36 руб. 10: 4358.65 руб. |