![IXFN420N10T IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; Ugs: ±30В; 670нC | 1: 2055.09 руб. 3: 1845.18 руб. 10: 1636.18 руб. |
![IXFN44N100P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 2912.64 руб. 3: 2622.9 руб. 10: 2314.33 руб. |
![IXFN44N100Q3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4268.95 руб. 3: 3850.04 руб. 10: 3401.52 руб. |
![IXFN44N80P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; Ugs: ±30В; 694Вт | 1: 2114.29 руб. 3: 1905.28 руб. 10: 1685.51 руб. |
![IXFN44N80Q3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; Ugs: ±40В; 780Вт | 1: 4498.59 руб. 3: 4039.31 руб. 10: 3571.06 руб. |
![IXFN48N60P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; Ugs: ±40В; 625Вт | 1: 1855.05 руб. 3: 1665.78 руб. 10: 1476.5 руб. |
![IXFN50N120SIC IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC | 1: 5654.85 руб. 3: 4997.33 руб. 10: 4338.91 руб. |
![IXFN520N075T2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; Ugs: ±30В; 940Вт | 1: 2224.62 руб. 3: 1994.99 руб. 10: 1765.35 руб. |
![IXFN52N100X IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 3680.5 руб. 3: 3310.92 руб. 10: 2922.51 руб. |
![IXFN52N90P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт | 1: 3371.02 руб. 3: 3031.95 руб. 10: 2683 руб. |