![IXFN26N100P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4068.01 руб. 3: 3658.07 руб. 10: 3228.4 руб. |
![IXFN26N120P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт | 1: 4147.85 руб. 3: 3728.04 руб. 10: 3298.36 руб. |
![IXFN300N10P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; Ugs: ±30В; 279нC | 1: 3188.03 руб. 3: 2868.69 руб. 10: 2538.58 руб. |
![IXFN300N20X3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт | 1: 3207.76 руб. 3: 2888.42 руб. 10: 2548.45 руб. Все цены |
![IXFN30N120P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт | 1: 4657.36 руб. 3: 4197.18 руб. 10: 3708.31 руб. |
![IXFN320N17T2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; Ugs: ±30В; 640нC | 1: 3397.93 руб. 3: 3057.96 руб. 10: 2708.12 руб. |
![IXFN32N100P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 2488.35 руб. 3: 2238.98 руб. 10: 1978.84 руб. |
![IXFN32N100Q3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4517.42 руб. 3: 4057.25 руб. 10: 3588.1 руб. |
![IXFN32N120P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; Ugs: ±40В; 360нC | 1: 5487.11 руб. 3: 4937.23 руб. 10: 4367.62 руб. |
![IXFN32N80P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; Ugs: ±40В; 625Вт | 1: 1788.67 руб. 3: 1609.26 руб. 10: 1419.1 руб. |