![IXFN56N90P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; Ugs: ±40В; 1000Вт | 1: 4417.85 руб. 3: 3977.41 руб. 10: 3518.14 руб. |
![IXFN60N80P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; Ugs: ±30В; 1040Вт | 1: 2578.05 руб. 3: 2328.68 руб. 10: 2048.81 руб. |
![IXFN62N80Q3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; Ugs: ±40В; 960Вт | 1: 4347.89 руб. 3: 3907.45 руб. 10: 3458.04 руб. |
![IXFN64N50P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; Ugs: ±40В; 625Вт | 1: 1889.14 руб. 3: 1698.97 руб. 10: 1498.93 руб. |
![IXFN64N60P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; Ugs: ±40В; 700Вт | 1: 2218.35 руб. 3: 1998.57 руб. 10: 1768.94 руб. |
![IXFN66N85X IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; Ugs: ±40В; 830Вт | 1: 3057.96 руб. 3: 2748.49 руб. 10: 2428.25 руб. |
![IXFN80N50 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; Ugs: ±40В; 694Вт | 1: 4487.82 руб. 3: 4037.51 руб. 10: 3568.37 руб. |
![IXFN80N50P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; Ugs: ±30В; 700Вт | 1: 2229.11 руб. 3: 1998.57 руб. 10: 1768.94 руб. |
![IXFN80N50Q3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; Ugs: ±40В; 780Вт | 1: 3627.57 руб. 3: 3258 руб. 10: 2878.56 руб. |
![IXFN80N60P3 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; Ugs: ±40В; 960Вт | 1: 1968.97 руб. 3: 1778.8 руб. 10: 1568.9 руб. |