![IXTN170P10P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 3397.93 руб. 3: 3057.96 руб. 10: 2708.12 руб. |
![IXTN17N120L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; Ugs: ±40В; 540Вт | 1: 4177.45 руб. 3: 3757.64 руб. 10: 3318.1 руб. |
![IXTN200N10L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт | 1: 3477.77 руб. 3: 3137.8 руб. 10: 2768.22 руб. |
![IXTN200N10T IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 550Вт | 1: 2478.48 руб. 3: 2229.11 руб. 10: 1968.97 руб. |
![IXTN210P10T IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; Ugs: ±15В | 1: 3467.9 руб. 3: 3118.06 руб. 10: 2758.35 руб. |
![IXTN22N100L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4227.68 руб. 3: 3807.88 руб. 10: 3368.33 руб. |
![IXTN240N075L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; Ugs: ±30В; 735Вт | 1: 3737.91 руб. 3: 3368.33 руб. 10: 2978.13 руб. |
![IXTN30N100L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 5477.24 руб. 3: 4927.36 руб. 10: 4357.75 руб. |
![IXTN32P60P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 4357.75 руб. 3: 3917.31 руб. 10: 3467.9 руб. |
![IXTN40P50P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 3397.93 руб. 3: 3057.96 руб. 10: 2708.12 руб. |