![IXTN102N65X2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; Ugs: ±40В; 595Вт | 1: 2213.86 руб. 3: 1994.99 руб. 10: 1765.35 руб. |
![IXTN110N20L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; Ugs: ±30В; 735Вт | 1: 3470.59 руб. 3: 3131.52 руб. 10: 2762.84 руб. |
![IXTN120P20T IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; Ugs: ±15В | 1: 3879.64 руб. 3: 3491.23 руб. 10: 3082.18 руб. |
![IXTN170P10P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 3390.76 руб. 3: 3051.68 руб. 10: 2702.74 руб. |
![IXTN17N120L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; Ugs: ±40В; 540Вт | 1: 4169.38 руб. 3: 3750.47 руб. 10: 3311.82 руб. |
![IXTN200N10L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт | 1: 3470.59 руб. 3: 3131.52 руб. 10: 2762.84 руб. |
![IXTN200N10T IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 550Вт | 1: 2474 руб. 3: 2224.62 руб. 10: 1964.49 руб. |
![IXTN210P10T IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; Ugs: ±15В | 1: 3460.73 руб. 3: 3111.78 руб. 10: 2752.97 руб. |
![IXTN22N100L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 4218.71 руб. 3: 3799.8 руб. 10: 3361.16 руб. |
![IXTN240N075L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; Ugs: ±30В; 735Вт | 1: 3729.83 руб. 3: 3361.16 руб. 10: 2972.74 руб. |