![IXTN30N100L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами | 1: 5465.58 руб. 3: 4917.5 руб. 10: 4348.78 руб. |
![IXTN32P60P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 4348.78 руб. 3: 3910.14 руб. 10: 3460.73 руб. |
![IXTN40P50P IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 3390.76 руб. 3: 3051.68 руб. 10: 2702.74 руб. |
![IXTN46N50L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; Ugs: ±40В; 700Вт | 1: 4218.71 руб. 3: 3799.8 руб. 10: 3361.16 руб. |
![IXTN550N055T2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; Ugs: ±30В; 940Вт | 1: 2932.38 руб. 3: 2643.54 руб. 10: 2334.06 руб. |
![IXTN600N04T2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; Ugs: ±30В; 940Вт | 1: 2334.06 руб. 3: 2094.56 руб. 10: 1855.05 руб. |
![IXTN60N50L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; Ugs: ±40В; 735Вт | 1: 3470.59 руб. 3: 3131.52 руб. 10: 2762.84 руб. |
![IXTN62N50L IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; Ugs: ±40В; 800Вт | 1: 5465.58 руб. 3: 4917.5 руб. 10: 4348.78 руб. |
![IXTN660N04T4 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 40В; 660А; SOT227B; Ugs: ±15В; 1040Вт | 1: 1964.49 руб. 3: 1765.35 руб. 10: 1556.34 руб. |
![IXTN80N30L2 IXYS](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@ce0b4bfbad18f61f0c597a712104db362950ff1e/_cdn_/B4/04/60/00/1/409675_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; Ugs: ±30В; 735Вт | 1: 3729.83 руб. 3: 3361.16 руб. 10: 2972.74 руб. |