![APT19F100J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Power FREDFET - MOS8 | 1: 6871.53 руб. 5: 6561.97 руб. 10: 6356.46 руб. 25: 5842.69 руб. 50: 5704.82 руб. 100: 5429.07 руб. 250: 4981.63 руб. 500: 4742.31 руб. Все цены |
![APT2X151DL60J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Fast Recovery Epitaxial Diode - DL | 1: 7198.01 руб. 5: 6871.53 руб. 10: 6659.52 руб. 25: 6117.13 руб. 50: 5972.76 руб. 100: 5685.31 руб. 250: 5217.06 руб. 500: 4967.33 руб. Все цены |
![APT47M60J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8 | 1: 7253.94 руб. 5: 6924.86 руб. 10: 6710.25 руб. 25: 6166.56 руб. 50: 6018.28 руб. 100: 5728.23 руб. 250: 5257.38 руб. 500: 5006.35 руб. Все цены |
![APT2X100D100J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Fast Recovery Epitaxial Diode - D | 1: 7350.19 руб. 5: 7015.91 руб. 10: 6798.69 руб. 25: 6245.9 руб. 50: 6098.92 руб. 100: 5806.27 руб. 250: 5327.62 руб. 500: 5073.98 руб. Все цены |
![APT25M100J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8 | 1: 7369.7 руб. 5: 7035.42 руб. 10: 6815.6 руб. 25: 6262.81 руб. 50: 6115.83 руб. 100: 5817.98 руб. 250: 5341.92 руб. 500: 5083.09 руб. Все цены |
![APT17F120J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Power FREDFET - MOS8 | 1: 7400.91 руб. 5: 7065.34 руб. 10: 6845.52 руб. 25: 6288.83 руб. 50: 6141.85 руб. 100: 5846.59 руб. 250: 5364.04 руб. 500: 5107.8 руб. Все цены |
![APT65GP60J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | 1: 8299.69 руб. 5: 7925.09 руб. 10: 7677.96 руб. 25: 7052.33 руб. 50: 6888.44 руб. 100: 6555.47 руб. 250: 6015.68 руб. 500: 5728.23 руб. Все цены |
![APT2X100D120J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Дискретные полупроводниковые модули Fast Recovery Epitaxial Diode - D | 1: 8539.01 руб. 5: 8152.71 руб. 10: 7897.78 руб. 25: 7257.84 руб. 50: 7086.15 руб. 100: 6744.07 руб. 250: 6187.37 руб. Все цены |
![APT85GR120JD60 Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | 1: 8818.66 руб. 5: 8420.65 руб. 10: 8156.61 руб. 25: 7494.56 руб. 50: 7318.97 руб. 100: 6965.18 руб. 250: 6392.88 руб. Все цены |
![APT80GP60J Microsemi](tpl/img/no-image.png) | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | 1: 8818.66 руб. 2: 8579.34 руб. 5: 8475.28 руб. 10: 8246.36 руб. 25: 7627.23 руб. 100: 7149.88 руб. 250: 6673.83 руб. Все цены |