Каталог электронных компонентов по производителю microsemi

Изображение	Наименование / Производитель / Описание / Документация	Кол-во: Цена
	5KP170CAe3/TR13 Microsemi Диоды подавления переходных скачков напряжения (TVS) Transient Voltage Suppressor	1: 686.76 руб. 10: 551.49 руб. 100: 502.07 руб. 250: 453.94 руб. 500: 405.81 руб. 1000: 343.38 руб. 2500: 326.47 руб. 5000: 313.47 руб. Все цены -+
	MSMCJLCE14Ae3 Microsemi Диоды подавления переходных скачков напряжения (TVS) Transient Voltage Suppressor	1: 1270.77 руб. 10: 1135.5 руб. 25: 1022.34 руб. 100: 929.99 руб. 250: 840.24 руб. 500: 754.4 руб. 1000: 636.04 руб. 2500: 603.52 руб. Все цены -+
	APT60D20BG Microsemi Выпрямители Fast Recovery Epitaxial Diode - D	1: 1360.52 руб. 10: 1093.88 руб. 100: 995.03 руб. 250: 898.78 руб. 500: 805.13 руб. 1000: 678.96 руб. 2500: 647.74 руб. Все цены -+
	APT9F100B Microsemi МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8	1: 1532.21 руб. 10: 1377.43 руб. 25: 1256.46 руб. 100: 1132.9 руб. 250: 1039.25 руб. 500: 946.9 руб. 1000: 825.94 руб. 2500: 797.32 руб. Все цены -+
	APT20GT60BRDQ1G Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi	1: 1664.88 руб. 10: 1495.79 руб. 25: 1363.12 руб. 100: 1230.45 руб. 250: 1130.3 руб. 500: 1031.45 руб. 1000: 896.17 руб. 2500: 864.96 руб. Все цены -+
	APT35GA90BD15 Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi	1: 1749.42 руб. 10: 1575.13 руб. 25: 1434.66 руб. 100: 1295.48 руб. 250: 1188.83 руб. 500: 1082.17 руб. 1000: 941.7 руб. 2500: 907.88 руб. Все цены -+
	APT20M45BVRG Microsemi МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5	1: 2575.36 руб. 10: 2341.24 руб. 25: 2234.58 руб. 50: 2164.34 руб. 100: 1991.35 руб. 250: 1814.46 руб. 500: 1696.1 руб. 1000: 1555.62 руб. Все цены -+
	MT9173AN1 Microsemi ИС телекоммуникационных интерфейсов Pb Free DNIC 1.5um	1: 3285.54 руб. 10: 2988.98 руб. 25: 2853.71 руб. 50: 2763.96 руб. 100: 2538.94 руб. 250: 2316.52 руб. 500: 2164.34 руб. 1000: 1986.15 руб. Все цены -+
	APT102GA60L Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single	1: 3484.54 руб. 10: 3167.17 руб. 25: 3022.8 руб. 50: 2927.85 руб. 100: 2691.12 руб. 250: 2454.4 руб. 500: 2295.71 руб. 1000: 2104.51 руб. Все цены -+
	APT100GT60B2RG Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single	1: 3535.27 руб. 10: 3214 руб. 25: 3065.72 руб. 50: 2972.07 руб. 100: 2732.74 руб. 250: 2488.22 руб. 500: 2326.93 руб. 1000: 2135.73 руб. Все цены -+