Каталог электронных компонентов по производителю microsemi

Изображение	Наименование / Производитель / Описание / Документация	Кол-во: Цена
	APT30GP60JDQ1 Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi	1: 6269.31 руб. 5: 5987.07 руб. 10: 5801.07 руб. 25: 5330.22 руб. 50: 5204.05 руб. 100: 4953.02 руб. 250: 4544.6 руб. 500: 4329.99 руб. Все цены -+
	MT9076BP1 Microsemi ИС телекоммуникационных интерфейсов Pb Free T1/E1/J13.3V SNGLE CHIPTRANSCVER	1: 6269.31 руб. 5: 5987.07 руб. 10: 5801.07 руб. 25: 5330.22 руб. 50: 5204.05 руб. 100: 4953.02 руб. 250: 4544.6 руб. 500: 4329.99 руб. Все цены -+
	MSD30-12 Microsemi Дискретные полупроводниковые модули	1: 6443.61 руб. 5: 6255.01 руб. 10: 5961.05 руб. 25: 5573.45 руб. 50: 5479.8 руб. 100: 5096.09 руб. 250: 4674.67 руб. 500: 4448.35 руб. Все цены -+
	APT40GP60J Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single	1: 6508.64 руб. 5: 6217.29 руб. 10: 6020.88 руб. 25: 5533.13 руб. 50: 5400.46 руб. 100: 5141.62 руб. 250: 4718.89 руб. 500: 4491.27 руб. Все цены -+
	MSKD100-08 Microsemi Дискретные полупроводниковые модули	1: 6525.55 руб. 5: 6335.65 руб. 10: 6037.79 руб. 25: 5643.68 руб. 50: 5550.03 руб. 100: 5161.13 руб. 250: 4735.8 руб. 500: 4505.58 руб. Все цены -+
	APT39M60J Microsemi Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8	1: 6533.35 руб. 5: 6235.5 руб. 10: 6040.39 руб. 25: 5552.64 руб. 50: 5421.27 руб. 100: 5161.13 руб. 250: 4735.8 руб. 500: 4508.18 руб. Все цены -+
	MSDM50-08 Microsemi Дискретные полупроводниковые модули	1: 6775.28 руб. 5: 6576.28 руб. 10: 6268.01 руб. 25: 5859.6 руб. 50: 5762.05 руб. 100: 5356.23 руб. 250: 4914 руб. 500: 4677.27 руб. Все цены -+
	MSKD120-08 Microsemi Дискретные полупроводниковые модули	1: 6792.19 руб. 5: 6591.89 руб. 10: 6284.92 руб. 25: 5876.51 руб. 50: 5777.65 руб. 100: 5370.54 руб. 250: 4929.61 руб. 500: 4690.28 руб. Все цены -+
	APT2X60D120J Microsemi Дискретные полупроводниковые модули Fast Recovery Epitaxial Diode - D	1: 6922.26 руб. 5: 6610.09 руб. 10: 6404.59 руб. 25: 5883.01 руб. 50: 5745.14 руб. 100: 5468.09 руб. 250: 5018.05 руб. 500: 4778.73 руб. Все цены -+
	APT50GP60J Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single	1: 7253.94 руб. 5: 6924.86 руб. 10: 6710.25 руб. 25: 6166.56 руб. 50: 6018.28 руб. 100: 5728.23 руб. 250: 5257.38 руб. 500: 5006.35 руб. Все цены -+