 | Диоды подавления переходных скачков напряжения (TVS) Transient Voltage Suppressor | 1: 602.22 руб. 10: 485.16 руб. 100: 388.91 руб. 500: 340.78 руб. 1000: 279.65 руб. 2500: 261.44 руб. 5000: 251.03 руб. 10000: 245.83 руб. |
| Диоды подавления переходных скачков напряжения (TVS) | 1: 654.25 руб. 10: 526.78 руб. 100: 478.65 руб. 250: 433.13 руб. 500: 388.91 руб. 1000: 326.47 руб. 2500: 312.17 руб. 5000: 296.56 руб. |
| ИС телекоммуникационных интерфейсов | 1: 1174.52 руб. 10: 944.3 руб. 25: 924.79 руб. 100: 859.75 руб. 250: 775.21 руб. 500: 690.67 руб. 1000: 582.71 руб. 2500: 538.48 руб. 5000: 531.98 руб. |
| Диоды подавления переходных скачков напряжения (TVS) | 1: 1217.44 руб. 10: 978.12 руб. 100: 890.97 руб. 250: 805.13 руб. 500: 721.88 руб. 1000: 608.72 руб. 2500: 580.11 руб. 5000: 555.39 руб. |
| Диоды подавления переходных скачков напряжения (TVS) | 1: 5752.94 руб. 5: 5494.1 руб. 10: 5319.81 руб. 25: 4890.59 руб. 50: 4774.82 руб. 100: 4544.6 руб. 250: 4170 руб. 500: 3969.7 руб. |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | 1: 5929.84 руб. 5: 5663.19 руб. 10: 5485 руб. 25: 5040.16 руб. 50: 4890.59 руб. 100: 4657.76 руб. 250: 4281.86 руб. 500: 3943.69 руб. |
| Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet | 1: 6330.45 руб. 5: 6045.6 руб. 10: 5859.6 руб. 25: 5383.55 руб. 50: 5220.96 руб. 100: 4975.13 руб. 250: 4569.32 руб. 500: 4209.03 руб. |
| ИС телекоммуникационных интерфейсов Pb Free T1/E1/J1 SINGLE CHIP TRANSCEIV | 1: 8539.01 руб. 2: 8306.19 руб. 5: 8077.27 руб. 10: 7847.05 руб. 25: 7291.66 руб. 50: 7116.06 руб. 100: 6796.09 руб. 250: 6214.69 руб. |
| РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS) | 1: 42017.42 руб. 2: 41004.18 руб. 5: 40405.86 руб. 10: 39834.86 руб. 25: 39288.57 руб. 50: 36718.41 руб. |
| МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | 1: 7432.13 руб. 5: 7099.15 руб. 10: 6874.13 руб. 25: 6318.74 руб. 50: 6127.54 руб. 100: 5837.49 руб. 250: 5364.04 руб. 500: 4941.31 руб. |
