| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 305А | 1: 22793.52 руб. 3: 19586.94 руб. |
| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,8кВ; 305А | 1: 22908.66 руб. 3: 20502.96 руб. |
| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 800В; 40А; A46 | 1: 2749.08 руб. 3: 2508.51 руб. 12: 2153.82 руб. |
| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 40А; A46 | 1: 1833.06 руб. 3: 1626.42 руб. 12: 1340.61 руб. |
| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 40А; A46 | 1: 2989.65 руб. 3: 2702.82 руб. 12: 2336.82 руб. |
| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,8кВ; 40А; A46 | 1: 5050.95 руб. 3: 4547.19 руб. 12: 4020.81 руб. |
| Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 40А; A48 | 1: 2874.51 руб. 3: 2588.7 руб. 12: 2234.01 руб. |
| Модуль; одиночный транзистор; 200В; 135А; SEMITRANS®M; Ugs: ±20В | 1: 8064.24 руб. 3: 7307.58 руб. 10: 6300.06 руб. |
| 3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 121А; SEMIX13 | 1: 20045.46 руб. 3: 18326.52 руб. 8: 16379.34 руб. |
| Boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 379А; SEMIX2S; винтами; винтами | 1: 8659.5 руб. 3: 8040.6 руб. |