![TLP291(TP.E(O TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@5ee331c8cdfd4009211cec864637d4c259284147/_cdn_/95/86/70/00/0/485465_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP292-4(E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@9be5fd73bcf46e77bd2b0a40431c09749813f6cb/_cdn_/0A/81/80/00/0/530592_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 4; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP292(E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@8d24ee851b3828eec2561ef6cb0b9dd0e094bdf2/_cdn_/61/FC/70/00/0/511766_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP292(GB.E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@f40f31a9cf9ddfd2289d7563810f54f851572331/_cdn_/51/FC/70/00/0/511765_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP292(GR-TPR.E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@7e5f228dc5db243c27ac8f8cf905add28ae6cf81/_cdn_/87/75/80/00/0/546680_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP293-4(E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@266bd74cad6f3f25f412baff441cc881f6bb1d41/_cdn_/D9/A6/90/00/0/617117_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 4; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP293(E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@4c5e56a5f58e1c8b6c19010a6da5d0e72da28a27/_cdn_/A9/3D/70/00/0/512922_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP293(GB-TPL.E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@97be66f799e1d6314404154a4a6b1f8304728c54/_cdn_/85/86/70/00/0/485464_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP293(GB.E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@e3725a36ce249d95c166f519899940181999c0bf/_cdn_/E3/98/80/00/0/559422_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |
![TLP293(GR.E(T TOSHIBA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/fit/640x480/n@eb4443433cff1a7622c4b2671d0ea3380ac4e06a/_cdn_/41/FC/70/00/0/511764_1.jpg?mark_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&mark_pos=center&mark_size=100pp) | Оптрон; SMD; Каналы: 1; Вых: транзисторный; Uизол: 3,75кВ; Uce: 80В | |