 | Усилитель РЧ; 3,3÷3,8ГГц; Каналы: 1; 1,6÷3,1В; TSNP6; 1,2дБ | |
 | Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт | |
 | Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт | |
 | Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 79Вт | |
 | Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 38Вт | |
 | IC: power switch; high-side; 700мА; Каналы: 1; N-Channel; SMD | |
 | IC: power switch; high-side; 400мА; Каналы: 1; N-Channel; SMD; SO8 | |
 | IC: power switch; high-side; 800мА; Каналы: 1; N-Channel; SMD; SO8 | |
 | IC: power switch; high-side; 1,3А; Каналы: 1; N-Channel; SMD; SO8 | |
 | IC: power switch; high-side; 1,3А; Каналы: 1; N-Channel; SMD; SO8 | |