 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; HB9434; винтами; SiC | 1: 11204.77 руб. 3: 9950.51 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 50А; HB9434; винтами; SiC | 1: 16723.54 руб. 3: 14800.33 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 11539.24 руб. 3: 10284.98 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 15051.19 руб. 3: 13378.83 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 18312.28 руб. 3: 16305.45 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 5058.87 руб. 3: 4281.23 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 8060.75 руб. 3: 7124.23 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 110А; HB9434; винтами | 1: 13211.6 руб. 3: 11873.71 руб. 10: 10452.21 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 140А; HB9434; винтами | 1: 14047.77 руб. 3: 12709.89 руб. 10: 11288.39 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 150В; 150А; HB9434; винтами | 1: 12208.18 руб. 3: 11037.54 руб. 10: 9699.65 руб. |