 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 125А; HB9434; винтами; SiC | 1: 37404.63 руб. 3: 33018.69 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; HB9434; винтами; SiC | 1: 11088.98 руб. 3: 9847.68 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 50А; HB9434; винтами; SiC | 1: 16550.72 руб. 3: 14647.39 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 11420 руб. 3: 10178.69 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 14895.65 руб. 3: 13240.58 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 18123.04 руб. 3: 16136.95 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 5006.59 руб. 3: 4236.98 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 7977.45 руб. 3: 7050.61 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 110А; HB9434; винтами | 1: 13075.07 руб. 3: 11751.01 руб. 10: 10344.2 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 140А; HB9434; винтами | 1: 13902.6 руб. 3: 12578.55 руб. 10: 11171.74 руб. |