 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 125А; HB9434; винтами; SiC | 1: 37997.7 руб. 3: 33542.21 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; HB9434; винтами; SiC | 1: 11264.8 руб. 3: 10003.82 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 50А; HB9434; винтами; SiC | 1: 16813.14 руб. 3: 14879.63 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 11601.07 руб. 3: 10340.08 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 15131.83 руб. 3: 13450.51 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 18410.39 руб. 3: 16392.81 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 5085.97 руб. 3: 4304.16 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC | 1: 8103.93 руб. 3: 7162.4 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 110А; HB9434; винтами | 1: 13282.38 руб. 3: 11937.33 руб. 10: 10508.21 руб. |
 | Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 140А; HB9434; винтами | 1: 14123.04 руб. 3: 12777.99 руб. 10: 11348.87 руб. |