 | Модуль; одиночный транзистор; -200В; -90А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 2203.73 руб. 3: 1991.88 руб. 10: 1751.89 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 135А; SEMITRANS®M; Ugs: ±20В | 1: 6491.19 руб. 3: 5882.13 руб. 10: 5071.14 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 650В; 90А; ISOTOP; Ugs: ±25В; винтами | 1: 6203.21 руб. 5: 5152.24 руб. 10: 4361.11 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 600В; 23А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами | 1: 3011.4 руб. 3: 2514.88 руб. 10: 2120.97 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами | 1: 2343.58 руб. 3: 2018.36 руб. 10: 1613.7 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами | 1: 2697.77 руб. 3: 2250.9 руб. 10: 1903.33 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; Ugs: ±25В; 494Вт | 1: 3742.95 руб. 3: 3093.33 руб. 10: 2618.32 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 270А; SOT227B; Ugs: ±20В; 937Вт | |
 | Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; Ugs: ±20В; 909Вт | 1: 4646.61 руб. 3: 4185.68 руб. 10: 3697.43 руб. |
 | Модуль; диод/транзистор; 500В; 24А; V1-B-Pack; Ugs: ±20В; винтами | 1: 2720.11 руб. 3: 2471.02 руб. 10: 1927.33 руб. |