 | Модуль; одиночный транзистор; -200В; -90А; SOT227B; Ugs: ±30В | 1: 2238.67 руб. 3: 2023.46 руб. 10: 1779.67 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 135А; SEMITRANS®M; Ugs: ±20В | 1: 6594.11 руб. 3: 5975.39 руб. 10: 5151.55 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 650В; 90А; ISOTOP; Ugs: ±25В; винтами | 1: 6301.56 руб. 5: 5233.93 руб. 10: 4430.26 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 600В; 23А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами | 1: 3059.15 руб. 3: 2554.76 руб. 10: 2154.6 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами | 1: 2380.74 руб. 3: 2050.36 руб. 10: 1639.28 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами | 1: 2740.54 руб. 3: 2286.59 руб. 10: 1933.51 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; Ugs: ±25В; 494Вт | 1: 3802.29 руб. 3: 3142.38 руб. 10: 2659.84 руб. |
 | Модуль; одиночный транзистор; 200В; 270А; SOT227B; Ugs: ±20В; 937Вт | |
 | Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; Ugs: ±20В; 909Вт | 1: 4720.29 руб. 3: 4252.04 руб. 10: 3756.06 руб. |
 | Модуль; диод/транзистор; 500В; 24А; V1-B-Pack; Ugs: ±20В; винтами | 1: 2763.24 руб. 3: 2510.2 руб. 10: 1957.89 руб. |